1. Identificação | |
Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) |
Site | mtc-m16.sid.inpe.br |
Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S |
Identificador | 6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CD8Ac |
Repositório | sid.inpe.br/marciana/2004/07.02.14.57 |
Última Atualização | 2004:10.29.03.00.00 (UTC) administrator |
Repositório de Metadados | sid.inpe.br/marciana/2004/07.02.14.57.33 |
Última Atualização dos Metadados | 2018:06.05.01.28.41 (UTC) administrator |
Chave Secundária | INPE-10793-PRE/6249 |
ISBN/ISSN | 0021-8979 |
ISSN | 0021-8979 |
Chave de Citação | NubileBouStiDerStr:1992:DeLoEl |
Título | Defects In Low-Temperature Electron-Irradiated P-Type Silicon |
Projeto | CELSOL: Células solares |
Ano | 1992 |
Mês | Oct. |
Data de Acesso | 18 maio 2024 |
Tipo Secundário | PRE PI |
Número de Arquivos | 1 |
Tamanho | 753 KiB |
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2. Contextualização | |
Autor | 1 Nubile, Paulo 2 Bourgoin, J. C. 3 Stievenard, D. 4 Deresmes, D 5 Strobl, G. |
Identificador de Curriculo | 1 8JMKD3MGP5W/3C9JJ3D |
Grupo | 1 LAS-INPE-MCT-BR |
Afiliação | 1 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laboratório Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS) 2 Université Paris, Groupe de Physique des Solides 3 Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord 4 Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord 5 Telefunken System Technik |
Revista | Journal of Applied Physics |
Volume | 72 |
Número | 7 |
Páginas | 2673-2679 |
Histórico (UTC) | 2004-10-29 13:03:51 :: sergio -> administrator :: 2006-09-28 22:36:10 :: administrator -> sergio :: 2008-01-07 12:49:55 :: sergio -> marciana :: 2008-02-27 12:02:25 :: marciana -> administrator :: 2018-06-05 01:28:41 :: administrator -> marciana :: 1992 |
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3. Conteúdo e estrutura | |
É a matriz ou uma cópia? | é a matriz |
Estágio do Conteúdo | concluido |
Transferível | 1 |
Tipo do Conteúdo | External Contribution |
Palavras-Chave | MATERIALS PHYSICS Defects Monocrystalline silicon DLTS FÍSICA DE MATERIAIS Defeitos Silicone monocristalino |
Resumo | Defects in monocrystalline silicon have been studied in the past, in particular, defects induced by room-temperature electron and proton irradiations on both n- and p-type materials, and most of the corresponding defects have been tentatively identified. However, there are still several questions which remain to be answered such as the nature and behavior of the defects introduced in the range 4-300 K. In this work Czochralski-grown p-type material has been irradiated at three different temperatures (90, 200, and 300 K) and characterized by deep-level transient spectroscopy (DLTS) and lifetime measurements. The data show that the defects created after irradiations at 90 and 200 K are different from those reported in the literature for irradiations at 4, 77, and 300 K, showing that three annealing steps exist between 4 and 300 K. These defects are characterized and a tentative identification of them is made. Finally, an attempt to detect the defects responsible for the lifetime, i.e., the recombination centers, not observed by DLTS, using spin-dependent recombination is described. |
Área | FISMAT |
Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Defects In Low-Temperature... |
Conteúdo da Pasta doc | acessar |
Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos |
Conteúdo da Pasta agreement | não têm arquivos |
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4. Condições de acesso e uso | |
URL dos dados | http://urlib.net/ibi/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CD8Ac |
URL dos dados zipados | http://urlib.net/zip/6qtX3pFwXQZsFDuKxG/CD8Ac |
Idioma | en |
Arquivo Alvo | defects in low.pdf |
Grupo de Usuários | administrator marciana sergio |
Visibilidade | shown |
Detentor da Cópia | SID/SCD |
Política de Arquivamento | allowpublisher allowfinaldraft |
Permissão de Leitura | allow from all |
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5. Fontes relacionadas | |
Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 |
Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 1 sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.57.56 1 |
Divulgação | WEBSCI; PORTALCAPES; COMPENDEX. |
Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40 |
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6. Notas | |
Campos Vazios | alternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel documentstage doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn label lineage mark mirrorrepository nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url versiontype |
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7. Controle da descrição | |
e-Mail (login) | marciana |
atualizar | |
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